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Ein neues Gerücht von einem der beliebtesten Leakster Chinas, Ice Universe, besagt, dass das kommende Galaxy S8 voraussichtlich über 8 GB RAM und einen neueren UFS 2.1-Flash-Speicherchip verfügen wird.
Nun, wir alle kennen das Problem mit dem Samsung Galaxy Note 7. Hinweis 7 explodiert aufgrund einiger schwerwiegender Probleme beim Kontakt der werkseitigen Batterieanode und -kathode. Wir haben auch gesehen, wie Samsungs zusätzliche 100 US-Dollar ausgegeben haben, um die Leute zu ermutigen, Samsung-Handys abzugeben.
Das nächste Flaggschiff von Samsung wird jedoch das Samsung Galaxy S8 sein, und es wird erwartet, dass es ein umfassendes Redesign erhält. Dem Smartphone fehlt der physische Home-Button und die Rückfahrkamera mit zwei Linsen ist genau wie beim iPhone 7 plus ausgestattet.
Es gibt viele Gerüchte, die sich im Internet wie ein Feuer verbreiten. Wir haben zuvor eine Gerüchtspezifikation geteilt, die das Samsung Galaxy S8 enthalten wird, die 6 GB Ram und bis zu 256 GB Speicher umfasst. Samsung wird mit dem Snapdragon 835-Prozessor ausgestattet sein.
Ein neues Gerücht von einem der beliebtesten Leakster Chinas, Ice Universe, deutet jedoch darauf hin, dass das kommende Galaxy S8 voraussichtlich über 8 GB RAM und einen neueren UFS 2.1-Flash-Speicherchip verfügen wird. Derselbe Leakster schlug auch vor, dass Samsung seinen eigenen 8-GB-RAM-Speicher mit seiner 10-nm-Technologie herstellen wird, wie ein Bericht von MySmartPreis.
Es gab auch wenige Gerüchte, die darauf hindeuten, dass das Samsung Galaxy S8 in zwei Varianten mit 5-Zoll-Display und dem 6-Zoll-Display erhältlich sein wird. Die 5,1-Zoll-Display-Variante wird als Galaxy S8 bekannt sein, während die 6-Zoll-Display-Variante als Galaxy S8 Plus bekannt ist.
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